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半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

文章出處:   責(zé)任編輯:   發(fā)布時(shí)間:2020-06-12 10:27:00    點(diǎn)擊數(shù):-   【
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中,半導(dǎo)體高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)涉及到半導(dǎo)體分立器件綜合、電力半導(dǎo)體器件、部件。
國(guó)際電工委員會(huì),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
IEC 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
KS C IEC 60749-6-2004 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
DIN EN 60749-6-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫儲(chǔ)存
法國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
NF C96-022-6-2002 半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存
英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
BS EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.高溫下儲(chǔ)存
歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì),關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)
EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第6部分:高溫下儲(chǔ)存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002

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